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2013年09月18日10:36 | 中國發展門戶網 www.chinagate.cn | 給編輯寫信 字號：T|T

二、生產規模和工藝技術

（一）光伏制造企業應采用工藝先進、節能環保、產品

質量好、生產成本低的生產技術和設備。

（二）光伏制造企業應具備以下條件：在中華人民共和

國境內依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏

產品獨立生產、供應和售后服務能力；具有省級以上獨立研

發機構、技術中心或高新技術企業資質，每年用于研發及工

藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民

幣；申報符合規范名單時上一年實際產量不低于本條第（三 ）

款產能要求的50%。

（三）光伏制造企業按產品類型應分別滿足以下要求：

1.多晶硅項目每期規模大于3000噸/年；

2.硅錠年產能不低于1000噸；

3.硅棒年產能不低于1000噸；

4.硅片年產能不低于5000萬片；

5.晶硅電池年產能不低于200MWp；

6.晶硅電池組件年產能不低于200MWp；

7.薄膜電池組件年產能不低于50MWp。

（四）現有光伏制造企業及項目產品應滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品

的要求；

2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，電阻

率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA；單晶硅

3

片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分

別小于10和18PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低

于16%和17%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率

分別不低于14.5%和15.5%；

5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄

膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。

（五）新建和改擴建企業及項目產品應滿足以下要求：

1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；

2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，電

阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅

片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分

別小于8和6PPMA；

3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低

于18%和20%；

4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分

別不低于16.5%和17.5%；

5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效

率分別不低于12%、12%、13%、12%。

4

（六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在2年

內分別不高于3.2%和4.2%，25年內不高于20%；薄膜電池

組件衰減率在2年內不高于5%，25年內不高于20%。

三、資源綜合利用及能耗

（一）光伏制造企業和項目用地應符合國家已出臺的土

地使用標準，嚴格保護耕地，節約集約用地。

（二）光伏制造項目能耗應滿足以下要求：

1.現有多晶硅項目還原電耗小于80千瓦時/千克，綜合

電耗小于140千瓦時/千克；新建和改擴建項目還原電耗小

于60千瓦時/千克，綜合電耗小于100千瓦時/千克；

2.現有硅錠項目平均綜合能耗小于9千瓦時/千克，新

建和改擴建項目小于7千瓦時/千克；如采用多晶鑄錠爐生

產準單晶或高效多晶產品，項目平均綜合能耗的增加幅度不

得超過0.5千瓦時/千克；

3.現有硅棒項目平均綜合能耗小于50千瓦時/千克，新

建和改擴建項目小于45千瓦時/千克；

4.現有多晶硅片項目平均綜合能耗小于60萬千瓦時/百

萬片，新建和改擴建項目小于55萬千瓦時/百萬片；現有單

晶硅片項目平均綜合能耗小于40萬千瓦時/百萬片，新建和

改擴建項目小于35萬千瓦時/百萬片；

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